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FDS9945
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
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|---|---|
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| 50+ | CNY3.040 (CNY3.4352) |
| 100+ | CNY2.620 (CNY2.9606) |
| 500+ | CNY2.330 (CNY2.6329) |
| 1000+ | CNY2.230 (CNY2.5199) |
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最低: 5
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品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS9945
库存编号1700660
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道3.5A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.1ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS9945 is a PowerTrench® dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It offers faster switching and lower gate charge than other MOSFET with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
- Low gate charge
- Very fast switching
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
3.5A
漏源通态电阻N沟道
0.1ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454