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MMBF170LT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBF170LT1G
库存编号1431321RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续500mA
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散225mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The MMBF170LT1G is a N-channel Power MOSFET with drain source voltage at 60VDC and drain current at 500mA.
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
500mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
225mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000272