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MMBTA06LT1G
单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY2.500 (CNY2.825) |
| 9000+ | CNY2.200 (CNY2.486) |
| 24000+ | CNY1.820 (CNY2.0566) |
| 45000+ | CNY1.630 (CNY1.8419) |
包装规格：单件（整卷供应）
最低: 3000
多件: 3000
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBTA06LT1G
库存编号2317805
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压80V
连续集电极电流500mA
功率耗散225mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率100MHz
直流电流增益, Hfe 最小值100hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
MMBTA06LT1G is a driver transistor.
- Collector-emitter voltage is 80VDC min (IC = 1.0mAdc, IB = 0, TA = 25°C)
- Emitter-base breakdown voltage is 4.0VDC min (IE = 100ADC, IC = 0, TA = 25°C
- Collector current - continuous is 500mAdc
- Electrostatic discharge HBM Class 3B, MM Class C, CDM Class IV
- Total device dissipation FR-5 board is 225mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance, junction-to-ambient is 556°C/W max
- DC current gain is 100 min (IC = 10mAdc, VCE = 1.0VDC, TA = 25°C)
- Current-gain - bandwidth product is 100MHz min (IC = 10mA, VCE = 2.0 V, f = 100MHz, TA = 25°C)
- SOT-23 package
- Junction temperature range from -55 to +150°C
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
500mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
100hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
80V
功率耗散
225mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
100MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
MMBTA06LT1G 的替代之选
找到 6 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00003