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MMBTA06LT1G
单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, 表面安装
产品概述
MMBTA06LT1G is a driver transistor.
- Collector-emitter voltage is 80VDC min (IC = 1.0mAdc, IB = 0, TA = 25°C)
- Emitter-base breakdown voltage is 4.0VDC min (IE = 100ADC, IC = 0, TA = 25°C
- Collector current - continuous is 500mAdc
- Electrostatic discharge HBM Class 3B, MM Class C, CDM Class IV
- Total device dissipation FR-5 board is 225mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance, junction-to-ambient is 556°C/W max
- DC current gain is 100 min (IC = 10mAdc, VCE = 1.0VDC, TA = 25°C)
- Current-gain - bandwidth product is 100MHz min (IC = 10mA, VCE = 2.0 V, f = 100MHz, TA = 25°C)
- SOT-23 package
- Junction temperature range from -55 to +150°C
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
500mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益hFE最小值
100hFE
产品范围
MMBTxxxx
MSL
-
最大集电极发射电压
80V
功率耗散
225mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
100MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000031