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MMBTH10LT1G
晶体管 双极-射频, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBTH10LT1G
库存编号2441389
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压25V
过渡频率650MHz
功率耗散225mW
连续集电极电流4mA
晶体管封装类型SOT-23
针脚数3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值60hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The MMBTH10LT1G is a NPN Silicon VHF/UHF Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
- Halogen-free
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
650MHz
连续集电极电流
4mA
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
25V
功率耗散
225mW
晶体管封装类型
SOT-23
直流电流增益, Hfe 最小值
60hFE
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001