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MMBTH10LT1G
晶体管 双极-射频, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
产品概述
The MMBTH10LT1G is an NPN Silicon VHF/UHF Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
- Halogen-free
技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
650MHz
连续集电极电流
4mA
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
MMBTxxxx
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
25V
功率耗散
225mW
晶体管封装类型
SOT-23
直流电流增益hFE最小值
60hFE
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
MMBTH10LT1G 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000309