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NTF3055L108T1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTF3055L108T1G
库存编号1431323RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续3A
漏源接通状态电阻0.12ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值1.68V
功率耗散2.1W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The NTF3055L108T1G is a N-channel logic level Power MOSFET, designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
2.1W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.12ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.68V
针脚数
4引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907