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NTF3055L108T1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 3 A, 0.092 ohm, SOT-223, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTF3055L108T1G
库存编号2317880
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续3A
漏源接通状态电阻0.092ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值1.68V
功率耗散2.1W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The NTF3055L108T1G is a N-channel logic level Power MOSFET designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
2.1W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.092ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.68V
针脚数
4引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
NTF3055L108T1G 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00012