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NTMFD5C674NLT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm
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| 10+ | CNY5.610 (CNY6.3393) |
| 100+ | CNY3.830 (CNY4.3279) |
| 500+ | CNY3.820 (CNY4.3166) |
| 1500+ | CNY3.810 (CNY4.3053) |
| 4500+ | CNY3.800 (CNY4.294) |
| 12000+ | CNY3.790 (CNY4.2827) |
| 22500+ | CNY3.780 (CNY4.2714) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMFD5C674NLT1G
库存编号2895695
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道42A
连续漏极电流 Id P沟道42A
漏源通态电阻N沟道0.0117ohm
漏源导通电阻P沟道0.0117ohm
晶体管封装类型DFN
针脚数8引脚
耗散功率N沟道37W
耗散功率P沟道37W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
42A
漏源导通电阻P沟道
0.0117ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
37W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
42A
漏源通态电阻N沟道
0.0117ohm
晶体管封装类型
DFN
耗散功率N沟道
37W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001