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NTMFD5C674NLT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 500+ | CNY3.820 (CNY4.3166) |
| 1500+ | CNY3.810 (CNY4.3053) |
| 4500+ | CNY3.800 (CNY4.294) |
| 12000+ | CNY3.790 (CNY4.2827) |
| 22500+ | CNY3.780 (CNY4.2714) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMFD5C674NLT1G
库存编号2895695RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续42A
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道42A
在电阻RDS（上）0.0117ohm
连续漏极电流 Id P沟道42A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0117ohm
漏源导通电阻P沟道0.0117ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型DFN
阈值栅源电压最大值2.2V
针脚数8引脚
功耗 Pd37W
耗散功率N沟道37W
耗散功率P沟道37W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
42A
连续漏极电流 Id N沟道
42A
连续漏极电流 Id P沟道
42A
漏源通态电阻N沟道
0.0117ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.2V
功耗 Pd
37W
耗散功率P沟道
37W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.0117ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0117ohm
晶体管封装类型
DFN
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
37W
工作温度最高值
175°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001