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NTZD3155CT1G
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
产品概述
The NTZD3155CT1G is a N/P-channel complementary Small Signal MOSFET designed for cell phones, MP3s, digital cameras and PDAs. It is suitable for DC-to-DC conversion circuits, load/power switching with level shift, single or dual cell Li-Ion battery operated systems and high speed circuit applications.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) performance
- High efficiency system performance
- Low threshold voltage
- ESD protected gate
- Small footprint
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
540mA
漏源导通电阻P沟道
0.4ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
540mA
漏源通态电阻N沟道
0.4ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000726