打印页面
NTZD3155CT1G
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTZD3155CT1G
库存编号2101817RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续540mA
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）400mohm
连续漏极电流 Id N沟道540mA
连续漏极电流 Id P沟道540mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.4ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.4ohm
晶体管封装类型SOT-563
阈值栅源电压最大值1V
针脚数6引脚
功耗 Pd250mW
耗散功率N沟道250mW
耗散功率P沟道250mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NTZD3155CT1G is a N/P-channel complementary Small Signal MOSFET designed for cell phones, MP3s, digital cameras and PDAs. It is suitable for DC-to-DC conversion circuits, load/power switching with level shift, single or dual cell Li-Ion battery operated systems and high speed circuit applications.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) performance
- High efficiency system performance
- Low threshold voltage
- ESD protected gate
- Small footprint
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
540mA
在电阻RDS（上）
400mohm
连续漏极电流 Id P沟道
540mA
漏源通态电阻N沟道
0.4ohm
漏源导通电阻P沟道
0.4ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
250mW
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
540mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOT-563
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
NTZD3155CT1G 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000726