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NVMFD5C650NLWFT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 111 A, 111 A, 0.0035 ohm
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|---|---|
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| 10+ | CNY26.960 (CNY30.4648) |
| 100+ | CNY20.470 (CNY23.1311) |
| 500+ | CNY20.030 (CNY22.6339) |
| 1500+ | CNY19.580 (CNY22.1254) |
| 3000+ | CNY19.140 (CNY21.6282) |
| 4500+ | CNY18.690 (CNY21.1197) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMFD5C650NLWFT1G
库存编号2835607
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道111A
连续漏极电流 Id P沟道111A
漏源通态电阻N沟道0.0035ohm
漏源导通电阻P沟道0.0035ohm
晶体管封装类型DFN
针脚数8引脚
耗散功率N沟道125W
耗散功率P沟道125W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
111A
漏源导通电阻P沟道
0.0035ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
125W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
111A
漏源通态电阻N沟道
0.0035ohm
晶体管封装类型
DFN
耗散功率N沟道
125W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000012