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NVMFD6H846NLT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 80 V, 31 A, 31 A, 0.0122 ohm
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| 100+ | CNY9.040 (CNY10.2152) |
| 500+ | CNY8.670 (CNY9.7971) |
| 1500+ | CNY8.300 (CNY9.379) |
| 3000+ | CNY7.920 (CNY8.9496) |
| 4500+ | CNY7.540 (CNY8.5202) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMFD6H846NLT1G
库存编号3528519
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压Vds P沟道80V
连续漏极电流 Id N沟道31A
连续漏极电流 Id P沟道31A
漏源通态电阻N沟道0.0122ohm
漏源导通电阻P沟道0.0122ohm
晶体管封装类型DFN
针脚数8引脚
耗散功率N沟道34W
耗散功率P沟道34W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id P沟道
31A
漏源导通电阻P沟道
0.0122ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
34W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
31A
漏源通态电阻N沟道
0.0122ohm
晶体管封装类型
DFN
耗散功率N沟道
34W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0034