打印页面
NVMFD6H846NLT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 80 V, 31 A, 31 A, 0.0122 ohm
1,240 有货
需要更多？
1240 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY9.040 (CNY10.2152) |
| 500+ | CNY8.670 (CNY9.7971) |
| 1500+ | CNY8.300 (CNY9.379) |
| 3000+ | CNY7.920 (CNY8.9496) |
| 4500+ | CNY7.540 (CNY8.5202) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 1
CNY904.00 (CNY1,021.52 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMFD6H846NLT1G
库存编号3528519RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压, Vds80V
漏源电压Vds P沟道80V
电流, Id 连续31A
连续漏极电流 Id N沟道31A
在电阻RDS（上）0.0122ohm
连续漏极电流 Id P沟道31A
漏源通态电阻N沟道0.0122ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.0122ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
晶体管封装类型DFN
功耗 Pd34W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道34W
耗散功率P沟道34W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
80V
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
31A
连续漏极电流 Id P沟道
31A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
DFN
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
34W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
80V
电流, Id 连续
31A
在电阻RDS（上）
0.0122ohm
漏源通态电阻N沟道
0.0122ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0122ohm
阈值栅源电压最大值
2V
功耗 Pd
34W
耗散功率N沟道
34W
工作温度最高值
175°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0034