打印页面
NXH80T120L2Q0S2G
IGBT模块, PIM 半桥逆变器, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
不再進貨
技术规格
IGBT配置
PIM 半桥逆变器
集电极-发射极饱和电压
2.35V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
焊接
IGBT技术
Trench Field Stop
产品范围
-
连续集电极电流
67A
功率耗散
158mW
晶体管封装类型
PIM
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.026838