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BC846BLT1G
单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY0.510 (CNY0.5763) |
| 100+ | CNY0.308 (CNY0.348) |
| 500+ | CNY0.256 (CNY0.2893) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BC846BLT1G
库存编号1653605
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压65V
连续集电极电流100mA
功率耗散300mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率100MHz
直流电流增益, Hfe 最小值290hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The BC846BLT1G is a NPN silicon general purpose Bipolar Transistor, designed for use in linear and switching applications. Ideal for lower power surface mount applications.
- Inductive load protection
- Steering logic
- Polarity reversal protection
- ESD rating - Human body model of <gt/>4000V
- ESD rating - Machine model of <gt/>400V
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
100mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
290hFE
产品范围
-
MSL
-
最大集电极发射电压
65V
功率耗散
300mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
100MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00009