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BC846BLT1G
单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BC846BLT1G
库存编号2317817
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压65V
连续集电极电流100mA
功率耗散300mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率100MHz
直流电流增益, Hfe 最小值200hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The BC846BLT1G is a 65V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications, ESD protection, polarity reversal protection, data line protection, inductive load protection and steering logic.
- Halogen-free/BFR-free
- ESD rating - <gt/>4000V human body model, <gt/>400V machine model
- 80V Collector to base voltage (VCBO)
- 6V Emitter to base voltage (VEBO)
- 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
100mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
200hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
65V
功率耗散
300mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
100MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
BC846BLT1G 的替代之选
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00003