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FDC6306P
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 1.9 A
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| 100+ | CNY2.540 (CNY2.8702) |
| 500+ | CNY1.910 (CNY2.1583) |
| 1000+ | CNY1.740 (CNY1.9662) |
| 5000+ | CNY1.650 (CNY1.8645) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC6306P
库存编号9844929
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道1.9A
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道0.17ohm
晶体管封装类型SuperSOT
针脚数6引脚
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道960mW
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDC6306P 是一款双P沟道MOSFET, 采用先进的PowerTrench®工艺制造. 经过专门设计, 可最大限度地降低导通电阻, 同时保持低栅极电荷, 以实现出色的开关性能. 该器件具有非常小的占位面积, 卓越的功耗, 适用于负载开关和电池保护应用等.
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 占位空间小
- 薄型
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
1.9A
漏源导通电阻P沟道
0.17ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
960mW
产品范围
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
SuperSOT
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000016