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FDC6321C
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC6321C
库存编号9844848
技术数据表
通道类型N和P沟道
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压Vds P沟道25V
连续漏极电流 Id N沟道680mA
连续漏极电流 Id P沟道460mA
漏源通态电阻N沟道0.45ohm
漏源导通电阻P沟道1.1ohm
晶体管封装类型SuperSOT
针脚数6引脚
耗散功率N沟道900mW
耗散功率P沟道900mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDC6321C is a dual N/P-channel Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. The device is an improved design especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several digital transistors with difference bias resistors.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id P沟道
460mA
漏源导通电阻P沟道
1.1ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
900mW
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
680mA
漏源通态电阻N沟道
0.45ohm
晶体管封装类型
SuperSOT
耗散功率N沟道
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000113