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FDC6321C
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC6321C
库存编号9844848RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型N和P沟道
漏源电压, Vds25V
漏源电压Vds N沟道25V
电流, Id 连续460mA
漏源电压Vds P沟道25V
在电阻RDS（上）0.33ohm
连续漏极电流 Id N沟道680mA
连续漏极电流 Id P沟道460mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.45ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道1.1ohm
阈值栅源电压最大值800mV
晶体管封装类型SuperSOT
功耗 Pd900mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道900mW
耗散功率P沟道900mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDC6321C is a dual N/P-channel Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. The device is an improved design especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several digital transistors with difference bias resistors.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
25V
电流, Id 连续
460mA
在电阻RDS（上）
0.33ohm
连续漏极电流 Id P沟道
460mA
漏源通态电阻N沟道
0.45ohm
漏源导通电阻P沟道
1.1ohm
晶体管封装类型
SuperSOT
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
900mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds N沟道
25V
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
680mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
800mV
功耗 Pd
900mW
耗散功率N沟道
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000113