打印页面
FDC8602
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC8602
库存编号2860229RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds P沟道100V
电流, Id 连续1.2A
连续漏极电流 Id N沟道1.2A
在电阻RDS（上）0.285ohm
连续漏极电流 Id P沟道1.2A
漏源通态电阻N沟道0.285ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.285ohm
阈值栅源电压最大值3.2V
晶体管封装类型SuperSOT
针脚数6引脚
功耗 Pd960mW
耗散功率N沟道960mW
耗散功率P沟道960mW
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
1.2A
连续漏极电流 Id P沟道
1.2A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.285ohm
晶体管封装类型
SuperSOT
功耗 Pd
960mW
耗散功率P沟道
960mW
产品范围
PowerTrench Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
100V
电流, Id 连续
1.2A
在电阻RDS（上）
0.285ohm
漏源通态电阻N沟道
0.285ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3.2V
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
960mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0007