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FDD10AN06A0
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 50 A, 0.0105 ohm, TO-252AA, 表面安装
FDD10AN06A0 的替代之选
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产品概述
FDD10AN06A0 是一款N沟道MOSFET, 采用Fairchild Semiconductor PowerTrench® 工艺制造。该器件设计提升DC-DC转换器的整体效率, 用于同步或常规开关PWM控制器。与其他MOSFET相比, 该产品具有更快的开关速度和更低的栅极电荷, RDS (ON)相似。MOSFET易于驱动且更安全 (即使在非常高的频率下), 并且能提升DC-DC电源设计的系统效率和可靠性。
- 低米勒电荷
- 低Qrr二极管
- UIS性能 (单脉冲和重复性脉冲)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
135W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0105ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000937