打印页面
FDMC8030
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm
44,370 有货
需要更多？
44370 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
该库存量售罄后，将不再备货
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY12.000 (CNY13.560) |
| 50+ | CNY8.800 (CNY9.944) |
| 100+ | CNY6.520 (CNY7.3676) |
| 500+ | CNY5.180 (CNY5.8534) |
| 1500+ | CNY4.770 (CNY5.3901) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY60.00 (CNY67.80 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMC8030
库存编号2822535
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道12A
连续漏极电流 Id P沟道12A
漏源通态电阻N沟道0.008ohm
漏源导通电阻P沟道0.008ohm
晶体管封装类型Power 33
针脚数8引脚
耗散功率N沟道14W
耗散功率P沟道14W
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2018)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
12A
漏源导通电阻P沟道
0.008ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
14W
产品范围
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
12A
漏源通态电阻N沟道
0.008ohm
晶体管封装类型
Power 33
耗散功率N沟道
14W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000204