打印页面
FDMC8030
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMC8030
库存编号2822535RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds N沟道40V
电流, Id 连续12A
漏源电压Vds P沟道40V
在电阻RDS（上）0.008ohm
连续漏极电流 Id N沟道12A
连续漏极电流 Id P沟道12A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.008ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.008ohm
晶体管封装类型Power 33
阈值栅源电压最大值1.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd14W
耗散功率N沟道14W
耗散功率P沟道14W
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2018)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
12A
在电阻RDS（上）
0.008ohm
连续漏极电流 Id P沟道
12A
漏源通态电阻N沟道
0.008ohm
漏源导通电阻P沟道
0.008ohm
阈值栅源电压最大值
1.5V
功耗 Pd
14W
耗散功率P沟道
14W
产品范围
PowerTrench Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
12A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
Power 33
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
14W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000204