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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMC86102LZ
库存编号2822536RL
产品范围PowerTrench
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续22A
漏源接通状态电阻0.019ohm
晶体管封装类型Power 33
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散41W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDMC86102LZ is a N-channel Logic Level MOSFETs produced using advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the ON-state resistance and yet maintains superior switching performance. G-S Zener has been added to enhance ESD voltage level.
- 100% UIL tested
- 6kV typical HBM ESD protection level
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
22A
晶体管封装类型
Power 33
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
41W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.019ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
8引脚
产品范围
PowerTrench
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000151