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FDMC9430L-F085
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMC9430L-F085
库存编号3003957RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds N沟道40V
电流, Id 连续12A
漏源电压Vds P沟道40V
在电阻RDS（上）0.0063ohm
连续漏极电流 Id N沟道12A
连续漏极电流 Id P沟道12A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.008ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型WDFN
阈值栅源电压最大值1.8V
针脚数8引脚
功耗 Pd11.4W
耗散功率N沟道11.4W
耗散功率P沟道11.4W
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
12A
在电阻RDS（上）
0.0063ohm
连续漏极电流 Id P沟道
12A
漏源通态电阻N沟道
0.008ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1.8V
功耗 Pd
11.4W
耗散功率P沟道
11.4W
产品范围
PowerTrench Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
12A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
WDFN
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
11.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005