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FDME1024NZT
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.055 ohm
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| 500+ | CNY2.120 (CNY2.3956) |
| 5000+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
| 15000+ | CNY1.920 (CNY2.1696) |
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产品概述
The FDME1024NZT is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET designed specifically as a single package solution for dual switching requirement in cellular handset and other ultra-portable applications. It has two independent N-channel MOSFETs with low ON-state resistance for minimum conduction losses. The MicroFET thin package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to switching and linear mode applications.
- Low profile
- Halogen-free
- ±8V Gate to source voltage
- 3.8A Continuous drain current
- 6A Pulsed drain current
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
3.8A
漏源导通电阻P沟道
0.055ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
3.8A
漏源通态电阻N沟道
0.055ohm
晶体管封装类型
µFET
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000054