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FDME1024NZT
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.055 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 500+ | CNY2.120 (CNY2.3956) |
| 5000+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
| 15000+ | CNY1.920 (CNY2.1696) |
| 40000+ | CNY1.820 (CNY2.0566) |
| 75000+ | CNY1.720 (CNY1.9436) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDME1024NZT
库存编号2083357RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续3.8A
连续漏极电流 Id N沟道3.8A
在电阻RDS（上）0.055ohm
连续漏极电流 Id P沟道3.8A
漏源通态电阻N沟道0.055ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.055ohm
晶体管封装类型µFET
阈值栅源电压最大值700mV
功耗 Pd1.4W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.4W
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDME1024NZT is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET designed specifically as a single package solution for dual switching requirement in cellular handset and other ultra-portable applications. It has two independent N-channel MOSFETs with low ON-state resistance for minimum conduction losses. The MicroFET thin package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to switching and linear mode applications.
- Low profile
- Halogen-free
- ±8V Gate to source voltage
- 3.8A Continuous drain current
- 6A Pulsed drain current
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
3.8A
连续漏极电流 Id P沟道
3.8A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.055ohm
阈值栅源电压最大值
700mV
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
3.8A
在电阻RDS（上）
0.055ohm
漏源通态电阻N沟道
0.055ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
µFET
功耗 Pd
1.4W
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000054