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FDMQ8205
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 57 V, 57 V, 0.035 ohm
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|---|---|
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| 3000+ | CNY22.660 (CNY25.6058) |
| 6000+ | CNY22.230 (CNY25.1199) |
| 9000+ | CNY21.790 (CNY24.6227) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMQ8205
库存编号3253686RL
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
晶体管极性互补N与P沟道
漏源电压, Vds57V
漏源电压Vds N沟道57V
电流, Id 连续-
漏源电压Vds P沟道57V
连续漏极电流 Id N沟道-
在电阻RDS（上）0.035ohm
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.035ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.035ohm
Rds(on)测试电压42V
阈值栅源电压最大值-
晶体管封装类型WDFN
针脚数12引脚
功耗 Pd-
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围GreenBridge 2 Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
57V
电流, Id 连续
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
42V
晶体管封装类型
WDFN
功耗 Pd
-
耗散功率P沟道
-
产品范围
GreenBridge 2 Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
57V
漏源电压Vds P沟道
57V
在电阻RDS（上）
0.035ohm
漏源通态电阻N沟道
0.035ohm
漏源导通电阻P沟道
0.035ohm
阈值栅源电压最大值
-
针脚数
12引脚
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004