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FDMS9600S
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.007 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.290 (CNY20.6677) |
| 10+ | CNY15.210 (CNY17.1873) |
| 100+ | CNY11.610 (CNY13.1193) |
| 500+ | CNY11.350 (CNY12.8255) |
| 3000+ | CNY11.070 (CNY12.5091) |
| 6000+ | CNY10.800 (CNY12.204) |
| 9000+ | CNY10.520 (CNY11.8876) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS9600S
库存编号3253688
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道32A
连续漏极电流 Id P沟道32A
漏源通态电阻N沟道0.007ohm
漏源导通电阻P沟道0.007ohm
晶体管封装类型WDFN
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.5W
耗散功率P沟道2.5W
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2018)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
32A
漏源导通电阻P沟道
0.007ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.5W
产品范围
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
32A
漏源通态电阻N沟道
0.007ohm
晶体管封装类型
WDFN
耗散功率N沟道
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004