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FDMS9600S
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.007 ohm
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| 500+ | CNY11.350 (CNY12.8255) |
| 3000+ | CNY11.070 (CNY12.5091) |
| 6000+ | CNY10.800 (CNY12.204) |
| 9000+ | CNY10.520 (CNY11.8876) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS9600S
库存编号3253688RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续32A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.007ohm
连续漏极电流 Id N沟道32A
连续漏极电流 Id P沟道32A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.007ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.007ohm
阈值栅源电压最大值1.5V
晶体管封装类型WDFN
功耗 Pd2.5W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.5W
耗散功率P沟道2.5W
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2018)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
32A
在电阻RDS（上）
0.007ohm
连续漏极电流 Id P沟道
32A
漏源通态电阻N沟道
0.007ohm
漏源导通电阻P沟道
0.007ohm
晶体管封装类型
WDFN
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.5W
产品范围
PowerTrench Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
32A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.5V
功耗 Pd
2.5W
耗散功率N沟道
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004