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FDS4559
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS4559
库存编号2251968
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.055ohm
漏源导通电阻P沟道0.055ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS4559 is a complementary MOSFET device is produced using advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Suitable for LCD backlight inverter.
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源导通电阻P沟道
0.055ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.055ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000221