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FDS6890A
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS6890A
库存编号9844732RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续7.5A
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道7.5A
在电阻RDS（上）0.013ohm
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.013ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值800mV
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDS6890A 是一款双N沟道MOSFET, 采用PowerTrench™工艺。该器件最大程度地降低导通状态电阻, 并保持低栅极电荷, 以及出色的开关性能。
- 快速开关速度
- 低门电荷
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 高功率, 高电流处理能力
- ±8V栅-源电压
- 7.5A连续漏电流
- 20A脉冲漏电流
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
7.5A
连续漏极电流 Id N沟道
7.5A
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.013ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
800mV
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
-
在电阻RDS（上）
0.013ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000224