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FDS8949
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS8949
库存编号1324814RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds P沟道-
电流, Id 连续6A
在电阻RDS（上）0.029ohm
连续漏极电流 Id N沟道6A
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.029ohm
漏源导通电阻P沟道-
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.9V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDS8949 是一款双N沟道逻辑电平MOSFET, 采用PowerTrench® 工艺制造。经过专门设计, 最大化降低导通状态电阻, 并保持出色的开关性能。该器件适用于需要低功率损耗和快速开关性能, 低压和电池供电应用。
- 低门电荷
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 高功率, 高电流处理能力
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
-
在电阻RDS（上）
0.029ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.029ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
6A
连续漏极电流 Id N沟道
6A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1.9V
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000111