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ONSEMI FDV303N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, 表面安装
产品概述
- 25V 的漏源电压 (Vds)
- 8V 栅源电压
- 680mA 的持续漏极电流 (Id)
- 功耗 (Pd) 为 350mW
- Vgs 4.5V 时的低导通电阻为 330mohm
- 工作温度范围 -55°C 至 150°C
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产品信息
技术文档 (3)
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- 100+
- 1000+
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100+ | CNY2.27 CNY2.5651 | ( ) |
1000+ | CNY1.29 CNY1.4577 | ( ) |
数量 | 价钱 (不含税) (含税) | 您所支付金额 (不含税) |
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数量 | 单价(含增值税) (不含税) (含税) | 您所支付金额(不含税) |
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3000+ | CNY0.586 CNY0.6622 | |
6000+ | CNY0.526 CNY0.5944 | |
9000+ | CNY0.465 CNY0.5255 | |
24000+ | CNY0.436 CNY0.4927 |
定价不可用。 请联系客户服务。