您已在下面突出显示的字段中输入包含无效字符的值。 请仅使用有效字符修改您的选择。
产品可能与您的搜索条件并不完全匹配
您买过此产品。
在订单历史记录中查看
ONSEMI FDV303N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, 表面安装
产品概述
FDV303N 是采用 SOT-23 封装的表面贴装、N 通道逻辑电平增强模式数字 FET。该器件具有高单元密度、DMOS 技术，该技术专为最大限度地降低导通电阻和保持低栅极驱动条件而设计。即使在低至 2.5V 的栅极驱动电压下，它也具有出色的导通电阻，设计用于使用一节锂或三节镉或 NHM 电池的电池电路、逆变器、手机等电子设备中的高效微型分立 DC/DC 转换和寻呼机。
- 25V 的漏源电压 (Vds)
- 8V 栅源电压
- 680mA 的持续漏极电流 (Id)
- 功耗 (Pd) 为 350mW
- Vgs 4.5V 时的低导通电阻为 330mohm
- 工作温度范围 -55°C 至 150°C
警告
该产品的市场需求导致交货期延长。交货日期可能会有所波动。产品免于折扣。
产品信息
技术文档 (3)
587,814 有货 需要更多？
×
您现在可以预订货品了 订购所需的数量并按正常方式结算。目前无法交付的数量将列入延期交货订单中，并在到货后立即发货。
将于 23-10-7 再提供 9,000 件
将于 23-10-8 再提供 9,000 件
交付周期内有额外库存， 交付周期大约为 24-6-24
183,655 Shanghai 有库存，可在下一个工作日发货 （在 CST 下午 4.30 之前订购）
84,926 新加坡 有库存，可在 3-4 个工作日内发货
319,233 英国 有库存，可在 5-6 个工作日内发货
84,926 新加坡 有库存，可在 3-4 个工作日内发货
319,233 英国 有库存，可在 5-6 个工作日内发货
由于市场条件的影响，交货时间仅供一般指导，可能会在短时间内发生变化
- 100+
- 1000+
| 数量 | 价钱 (不含税) (含税) | 您所支付金额 (不含税) |
|---|---|---|
| 100+ | CNY2.27 CNY2.5651 | ( ) |
| 1000+ | CNY1.29 CNY1.4577 | ( ) |
| 数量 | 价钱 (不含税) (含税) | 您所支付金额 (不含税) |
|---|
定价不可用。 请联系客户服务。
| 数量 | 单价（含增值税） (不含税) (含税) | 您所支付金额(不含税) |
|---|---|---|
| 3000+ | CNY0.586 CNY0.6622 | |
| 6000+ | CNY0.526 CNY0.5944 | |
| 9000+ | CNY0.465 CNY0.5255 | |
| 24000+ | CNY0.436 CNY0.4927 |
定价不可用。 请联系客户服务。
500 (切割卷带 9845020) x 2.27 = CNY1,135.00
500 (切割卷带 9845020) x 2.5651 = CNY1,282.55
总价: CNY1,135.00
( 不含税 )
总价: CNY1,282.55
( 含税 )
500 (复卷 9845020RL) x 2.27 = CNY1,135.00
500 (复卷 9845020RL) x 2.5651 = CNY1,282.55
总价: CNY1,135.00
( 不含税 )
总价: CNY1,282.55
( 含税 )
选择您的包装首选项
筛选器工具