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FGD5T120SH
IGBT, FS沟槽, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 引脚
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FGD5T120SH
库存编号2565212RL
技术数据表
连续集电极电流10A
集电极-发射极饱和电压2.9V
功率耗散69W
最大集电极发射电压1.2kV
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
晶体管安装表面安装
产品范围-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
- 1200V, 5A FS沟道技术IGBT
- 正温度系数
- 高速开关
- 低饱和电压：Ic=5A时，VCE(sat)=2.9V
- 高输入阻抗
- 适用于限制浪涌电流、照明和家用电器
技术规格
连续集电极电流
10A
功率耗散
69W
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
集电极-发射极饱和电压
2.9V
最大集电极发射电压
1.2kV
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85334010
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907