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FQA36P15
功率场效应管, MOSFET, P通道, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, 通孔
已停产
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FQA36P15
库存编号1471061
产品范围QFET Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续36A
漏源接通状态电阻0.09ohm
晶体管封装类型TO-3P
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散294W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围QFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
FQA36P15 是一款 -150V P 沟道 QFET® 增强型功率 MOSFET，采用平面条纹和 DMOS 技术制造。这种先进的 MOSFET 技术专门用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。该器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。该产品用途广泛，适用于多种不同应用。
- 低栅极电荷
- 100%经过雪崩测试
- 175°C 额定结温
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
36A
晶体管封装类型
TO-3P
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
294W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.09ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
QFET Series
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01453