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NDC7001C
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NDC7001C
库存编号9844872RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds50V
漏源电压Vds N沟道50V
电流, Id 连续340mA
漏源电压Vds P沟道50V
在电阻RDS（上）1ohm
连续漏极电流 Id N沟道340mA
连续漏极电流 Id P沟道340mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道1ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道1ohm
晶体管封装类型SuperSOT
阈值栅源电压最大值2.1V
针脚数6引脚
功耗 Pd700mW
耗散功率N沟道700mW
耗散功率P沟道700mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
NDC7001C是一款双N/P沟道增强模式FET, 采用高单元密度和DMOS技术生产。这种高密度工艺可以将导通电阻降至最低, 并提供坚固可靠的性能, 以及快速开关能力。该器件适用于低电压, 低电流, 开关和电源应用。
- 高饱和电流
- 高密度单元设计, 低RDS (ON)
- 铜引线设计, 具有出色的温度和电气性能
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
50V
电流, Id 连续
340mA
在电阻RDS（上）
1ohm
连续漏极电流 Id P沟道
340mA
漏源通态电阻N沟道
1ohm
漏源导通电阻P沟道
1ohm
阈值栅源电压最大值
2.1V
功耗 Pd
700mW
耗散功率P沟道
700mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
50V
漏源电压Vds P沟道
50V
连续漏极电流 Id N沟道
340mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SuperSOT
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
700mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00004