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NDC7001C
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.340 (CNY4.9042) |
| 10+ | CNY2.890 (CNY3.2657) |
| 100+ | CNY2.160 (CNY2.4408) |
| 500+ | CNY1.650 (CNY1.8645) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NDC7001C
库存编号9844872
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道50V
漏源电压Vds P沟道50V
连续漏极电流 Id N沟道340mA
连续漏极电流 Id P沟道340mA
漏源通态电阻N沟道1ohm
漏源导通电阻P沟道1ohm
晶体管封装类型SuperSOT
针脚数6引脚
耗散功率N沟道700mW
耗散功率P沟道700mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
NDC7001C是一款双N/P沟道增强模式FET, 采用高单元密度和DMOS技术生产。这种高密度工艺可以将导通电阻降至最低, 并提供坚固可靠的性能, 以及快速开关能力。该器件适用于低电压, 低电流, 开关和电源应用。
- 高饱和电流
- 高密度单元设计, 低RDS (ON)
- 铜引线设计, 具有出色的温度和电气性能
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
50V
连续漏极电流 Id P沟道
340mA
漏源导通电阻P沟道
1ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
700mW
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
50V
连续漏极电流 Id N沟道
340mA
漏源通态电阻N沟道
1ohm
晶体管封装类型
SuperSOT
耗散功率N沟道
700mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00004