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NSM4002MR6T1G
双极晶体管阵列, 双NPN, 45 V, 500 mA, 500 µW
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
| 100+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
| 500+ | CNY0.942 (CNY1.0645) |
| 3000+ | CNY0.800 (CNY0.904) |
| 9000+ | CNY0.688 (CNY0.7774) |
| 24000+ | CNY0.668 (CNY0.7548) |
| 45000+ | CNY0.647 (CNY0.7311) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NSM4002MR6T1G
库存编号2452045
技术数据表
晶体管极性双NPN
集电极发射极电压最大值NPN45V
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流NPN500mA
连续集电极电流NPN-
耗散功率NPN500µW
耗散功率PNP-
直流电流增益hFE最小值NPN40hFE
直流电流增益hFE最小值PNP-
晶体管封装类型SC-74
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN300MHz
转换频率NPN-
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NSM4002MR6T1G is a dual NPN Bipolar Transistor Array for driving LEDs. The device contains a single two NPN transistors. The base of the Q2 NPN transistor is internally connected to the collector of the Q1 NPN transistor. It is designed to replace a discrete solution that is common for providing a constant current by integrating these two components into a single device. It is ideal for surface-mount applications in space constrained applications.
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
注释
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流NPN
-
耗散功率PNP
-
直流电流增益hFE最小值PNP
-
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
-
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
集电极发射极电压最大值NPN
45V
连续集电极电流NPN
500mA
耗散功率NPN
500µW
直流电流增益hFE最小值NPN
40hFE
晶体管封装类型
SC-74
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
300MHz
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001588