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NTHD3100CT1G
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTHD3100CT1G
库存编号2845402RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续3.9A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.064ohm
连续漏极电流 Id N沟道3.9A
连续漏极电流 Id P沟道3.9A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.064ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.064ohm
晶体管封装类型ChipFET
阈值栅源电压最大值1.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.1W
耗散功率N沟道1.1W
耗散功率P沟道1.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NTHD3100CT1G is a N/P-channel Complementary MOSFET ideal for portable battery powered products. The device is designed for DC-to DC conversion circuits, load switch applications requiring level shift and drive small brushless DC motor applications.
- Small size
- 40% Smaller then TSOP-6 package
- Trench P-channel for low ON-resistance
- Low gate charge N-channel for test switching
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
3.9A
在电阻RDS（上）
0.064ohm
连续漏极电流 Id P沟道
3.9A
漏源通态电阻N沟道
0.064ohm
漏源导通电阻P沟道
0.064ohm
阈值栅源电压最大值
1.5V
功耗 Pd
1.1W
耗散功率P沟道
1.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
3.9A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
ChipFET
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001