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NTJD4105CT1G
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTJD4105CT1G
库存编号2464121RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续630mA
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.29ohm
连续漏极电流 Id N沟道630mA
连续漏极电流 Id P沟道630mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.29ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.29ohm
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值920mV
针脚数6引脚
功耗 Pd270mW
耗散功率N沟道270mW
耗散功率P沟道270mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NTJD4105CT1G is a -8/20V P and N-channel Small Signal MOSFET designed with low RDS(on) for minimum footprint and increased circuit efficiency. The low RDS (on) performance is particularly suited for single or dual cell Li-Ion battery supplied devices such as cell phones, media players, digital cameras and PDAs.
- Complementary N and P channel device
- Leading -8V trench for low RDS(on) performance
- ESD protected gate- Class 1 ESD rating
- 460°C/W Thermal resistance, junction to ambient
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
630mA
在电阻RDS（上）
0.29ohm
连续漏极电流 Id P沟道
630mA
漏源通态电阻N沟道
0.29ohm
漏源导通电阻P沟道
0.29ohm
阈值栅源电压最大值
920mV
功耗 Pd
270mW
耗散功率P沟道
270mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
630mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
270mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
NTJD4105CT1G 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006