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NTMD3P03R2G
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 3.05 A, 3.05 A, 0.085 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMD3P03R2G
库存编号2845405RL
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续3.05A
连续漏极电流 Id N沟道3.05A
在电阻RDS（上）0.085ohm
连续漏极电流 Id P沟道3.05A
漏源通态电阻N沟道0.085ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.085ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.7V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
3.05A
连续漏极电流 Id P沟道
3.05A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.7V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
3.05A
在电阻RDS（上）
0.085ohm
漏源通态电阻N沟道
0.085ohm
漏源导通电阻P沟道
0.085ohm
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000759