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NTMD4N03R2G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMD4N03R2G
库存编号2845408RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续4A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道4A
在电阻RDS（上）0.048ohm
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源通态电阻N沟道0.048ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.048ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.9V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
4A
连续漏极电流 Id N沟道
4A
连续漏极电流 Id P沟道
4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.9V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.048ohm
漏源通态电阻N沟道
0.048ohm
漏源导通电阻P沟道
0.048ohm
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000212