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NTUD3169CZT5G
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTUD3169CZT5G
库存编号2533207RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续220mA
在电阻RDS（上）0.75ohm
连续漏极电流 Id N沟道220mA
连续漏极电流 Id P沟道220mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.75ohm
漏源导通电阻P沟道0.75ohm
Rds(on)测试电压4.5V
晶体管封装类型SOT-963
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd125mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道125mW
耗散功率P沟道125mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NTUD3169CZT5G is a N/P-channel complementary MOSFET offers a low RDS (ON) solution in the ultra small package. It is suitable for load switch with level shift applications.
- 1.5V Gate voltage rating
- Ultra thin profile (<lt/>0.5mm)
- Fit easily into extremely thin environments such as portable electronics
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.75ohm
连续漏极电流 Id P沟道
220mA
漏源通态电阻N沟道
0.75ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
125mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
220mA
连续漏极电流 Id N沟道
220mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.75ohm
晶体管封装类型
SOT-963
功耗 Pd
125mW
耗散功率N沟道
125mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536