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NTZD3154NT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTZD3154NT1G
库存编号2533209RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续540mA
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.4ohm
连续漏极电流 Id N沟道540mA
连续漏极电流 Id P沟道540mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.4ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.4ohm
晶体管封装类型SOT-563
阈值栅源电压最大值1V
针脚数6引脚
功耗 Pd250mW
耗散功率N沟道250mW
耗散功率P沟道250mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NTZD3154NT1G is a dual N-channel small signal MOSFET designed for cell phones, digital cameras, PDAs and pagers etc. It is suitable for load/power switches, power supply converter circuits and battery management applications.
- Low RDS (ON) improving system efficiency
- Low threshold voltage
- Small footprint
- ESD protected gate
- Halogen-free
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
540mA
在电阻RDS（上）
0.4ohm
连续漏极电流 Id P沟道
540mA
漏源通态电阻N沟道
0.4ohm
漏源导通电阻P沟道
0.4ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
250mW
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
540mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOT-563
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454