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NVMFD6H852NLT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
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| 100+ | CNY5.150 (CNY5.8195) |
| 500+ | CNY3.540 (CNY4.0002) |
| 1500+ | CNY3.510 (CNY3.9663) |
| 4500+ | CNY3.480 (CNY3.9324) |
| 12000+ | CNY3.450 (CNY3.8985) |
| 22500+ | CNY3.410 (CNY3.8533) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 5
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产品概述
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id P沟道
25A
漏源导通电阻P沟道
0.021ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
38W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
25A
漏源通态电阻N沟道
0.021ohm
晶体管封装类型
DFN
耗散功率N沟道
38W
工作温度最高值
175°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0007