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NVTJD4001NT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVTJD4001NT1G
库存编号2728055RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续250mA
在电阻RDS（上）1ohm
连续漏极电流 Id N沟道250mA
连续漏极电流 Id P沟道250mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道1ohm
漏源导通电阻P沟道1ohm
Rds(on)测试电压4V
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值1.2V
功耗 Pd272mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道272mW
耗散功率P沟道272mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
1ohm
连续漏极电流 Id P沟道
250mA
漏源通态电阻N沟道
1ohm
Rds(on)测试电压
4V
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
272mW
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
250mA
连续漏极电流 Id N沟道
250mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
1ohm
晶体管封装类型
SOT-363
功耗 Pd
272mW
耗散功率N沟道
272mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004