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BD2320UEFJ-LAE2
栅极驱动器, 2 放大器, 高压侧和低压侧, MOSFET, 8 引脚, HTSOP-J
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|---|---|
| 1+ | CNY15.880 (CNY17.9444) |
| 10+ | CNY10.740 (CNY12.1362) |
| 50+ | CNY10.180 (CNY11.5034) |
| 100+ | CNY9.630 (CNY10.8819) |
| 250+ | CNY9.040 (CNY10.2152) |
| 500+ | CNY8.930 (CNY10.0909) |
| 1000+ | CNY8.810 (CNY9.9553) |
| 2500+ | CNY8.690 (CNY9.8197) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号BD2320UEFJ-LAE2
库存编号4172964
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置高压侧和低压侧
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装HTSOP-J
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流3.5A
灌电流4.5A
电源电压最小值7.5V
电源电压最大值14.5V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟27ns
输出延迟29ns
产品范围-
合规-
产品概述
BD2320UEFJ-LAE2 is a 100V maximum voltage high-side and low-side gate driver which can drive external Nch-FET using the bootstrap method. The driver includes a 100V bootstrap diode and independent inputs control for the high-side and low-side. Under voltage lockout circuits are built in for high-side and low-side. Typical applications are power supplies for telecom and datacom, MOSFET application, half-bridge and full-bridge converters, forward converters.
- Long-time support product for industrial applications
- Under voltage lockout (UVLO) for high-side and low-side driver
- 3.3V and 5.0V interface voltage
- Output In-phase with input signal
- High-side supply voltage and floating voltage is 100V
- Output voltage range from 7.5V to 14.5V, output current Io+/Io- is 3.5A/4.5A
- Propagation delay is 27ns (typ), delay matching is 12ns (max)
- Offset voltage pin leak current is 10µA (maximum)
- Operating temperature range from -40°C to +125°C
- Dimension is 4.9mm W (typ) x 6mm D (typ) x 1mm H (max)
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
3.5A
电源电压最小值
7.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
27ns
产品范围
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
HTSOP-J
输入类型
非反向
灌电流
4.5A
电源电压最大值
14.5V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
29ns
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001